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第182章 单晶到底怎么造3k（第2页）

有时候有的人容易陷入功能崇拜里面去，这个功能越多越好，越复杂越好，至于能起到什么作用，是不是对系统有利，或者为了这点儿利益付出这么大代价是否值得，没想过或者没想好。

这个话一开始他是不太好问的，这涉及到原理路线问题了，看见高振东的单晶炉设计那么完整，一开始问这个话有点全盘推翻的感觉。

高振东笑着道：“对！”

高振东笑道：“说对了，对于现在来说，直拉法的缺陷是可以通过设计手段来弥补或者削弱的，比如增加石英内坩埚。而它的好处却是实实在在的，我们不是搞理论研究，理论研究可以只盯着高处，我们搞的是应用研究，还是要看看周围。”

见大家都明白这个原理，高振东才说出来增加坩埚升降系统的原因：“而增加温度梯度最简单的办法之一，就是增加坩埚的高度，换言之，调节纵向温度梯度最简单的手段，就是升降坩埚。当然.”

俞允成负责具体的落地过程，比他更合适。

俞允成和周围在观看学习的科研组员，都觉得打开了一扇新世界的大门，以前的很多相关经验，都可以在这个里面得到解释。

“高主任，在我看来，只要坩埚加热温度稳定，热场就是稳定的，坩埚的加热温度可以靠电源功率控制来完成，而拉晶的提拉旋转和高度可以靠籽晶那头控制，为什么坩埚这头还要增加复杂的坩埚升降和旋转控制呢，这不是大大增加了系统的复杂程度吗。”

这边的具体事务，是俞允成在负责。

最后，高振东总结道：“径向温度梯度，原则上是要越均匀越好的，这就是刚才我说的要把坩埚转起来的部分原因。”

半导体器件用的单晶体，基底的掺杂本来就是常用工序之一，在这一点上，直拉比区熔可就方便多了。

高振东点点头：“没错，不过这些方法都有这样那样的问题，总的来说，电子技术上用的半导体材料，在我看来，相当一段时间内最合适的还就是正在搞的直拉法和你说的区熔法。”

然后历数他们为了这条光纤，做了多少考虑，什么地线复合光缆防雷，光缆铠装防物理破坏，深挖深埋防压

高振东的导师是审项目的，就问了一个问题：“你们难道就不会用VHF数传电台？低速率下可靠性有保证，安装简单，无需维护，通过协议控制能把数据到达率保证得很好，价格便宜，千把块钱就能弄一对非常好的。”

说到这里，他顺势提出了自己心中的疑问。

这下子，俞允成有点明白了。

“我增加这个系统，不是为了拉晶的提拉旋转控制的，是为了热场控制。”

说完，又补充了一句：“等到直拉的有眉目了，再去搞区熔，毕竟区熔也有它的好处。”

听见高振东这個话，俞允成这个在当前已经算是硅单晶制作的专业人士嘴巴张大了，高主任说的这些，相当一部分根本没听说过，就这一句话，就够他琢磨好些年的了。

高振东笑着道：“不止我们现在正在做的直拉法和区熔法，做硅单晶的办法还有很多，比如基座法、片状单晶生长、气相生长、铸锭法、液相外延等等。”

俞允成更加明白了：“啊，我还奇怪为什么要多此一举在石墨坩埚内再套一层石英坩埚呢，原来是我没考虑周全。”

高振东道：“对于我们现在的需求来说，区熔法的好处实际上是用不怎么上的，但是坏处却是实实在在的存在。而直拉法生产效率高，自动化生产技术难度低，更容易控制掺杂浓度，更容易制备大直径单晶，这些可都是我们现在急需的。”

俞允成明白了：“嗯，看来选择技术路线不能光靠单一指标，还是要综合考虑的。”

前者是因，后者是果。

俞允成对于区熔法有所了解，但是对于区熔法的原理和具体实现方法是不了解的，大概就处于闻名但是但未见面的程度。

不愧是搞这个的，一听就明白，高振东笑道：“对，这个方法熔化的硅液主要靠表面张力维持不掉落，所以直径想做大，比直拉法要困难，同时整个拉晶过程的可控性差，容易导致晶体结构缺陷。”

而作用，则是这个子系统的功能，能为整个系统带来什么好处或者影响。

高振东干脆把区熔法的原理向俞允成介绍了一遍。

高振东听见这个，明白他是真的深入思考过，对于他提到的各个子系统的功能和在系统中发挥的作用都有了较为深入的思考，只是现在还主要靠经验在思考问题，缺乏一定的理论支撑而已。

“有这么多方法？”他样子有点傻呆呆的。

这一番话下来，其实已经把单晶结晶的核心控制条件讲了个明明白白，在座的人，日后不说做个单晶炉吧，但是修个单晶炉可能还是有思路的。

至于俞允成这种本来就是大牛的人，更是获益良多。

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